不銹鋼電鍍鉻的溶液維護及(ji)操作明細如下：


1. 鉻酐濃度


  其(qi)濃(nong)度(du)在230~270g/L,維持(chi)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的濃(nong)度(du)，以保(bao)持(chi)較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的導(dao)電(dian)(dian)率(lv)，可通過較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的電(dian)(dian)流(liu)密度(du)，以維持(chi)鍍液的穩定，有較(jiao)(jiao)高(gao)(gao)的抗雜質能力。


2. 硫(liu)酸濃度


  硫(liu)酸濃(nong)度應保持與鉻(ge)(ge)(ge)酐的濃(nong)度比值為100:1.當硫(liu)酸濃(nong)度的比值小于(yu)1時，會引起鍍(du)(du)(du)層(ceng)在鍍(du)(du)(du)不上鉻(ge)(ge)(ge)層(ceng)處輕(qing)者呈現黃彩膜(mo)，即俗稱“漏黃”，重(zhong)者呈藍膜(mo)，無鉻(ge)(ge)(ge)層(ceng)與未鍍(du)(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)的交界處模糊。有(you)(you)鉻(ge)(ge)(ge)層(ceng)表(biao)面鍍(du)(du)(du)鉻(ge)(ge)(ge)較厚處有(you)(you)微小圓形(xing)顆粒(li)，鍍(du)(du)(du)層(ceng)光(guang)亮度較差，比值進一(yi)步減少時，如0.5以下，分(fen)散能力(li)惡化，鍍(du)(du)(du)不上鉻(ge)(ge)(ge)的面積擴大，電流大些，面積甚(shen)至呈烏黑色燒焦(jiao)狀鉻(ge)(ge)(ge)層(ceng)。


  而硫酸的比值大于1至1.2以上時，鍍層分散力也會惡化，但不出現“露黃”現象，此時，有鉻層鍍上處與未鍍上處的交界線很明顯。比值超過越大，則未鍍上區域相應擴大，最終甚至完全鍍不上鉻，此時比值在大于2以上。為了降低硫酸濃度，要向鍍層中加入碳酸鋇，使形成硫酸鋇沉淀，此時需要計算碳酸鋇的用量，理論上碳酸鋇2g可沉降硫酸1g.處理后還要攪拌一定時間，保溫2h,使硫酸鋇由分散細粒聚集成較大顆粒沉降，使副反應鉻酸鋇轉變成硫酸鋇粒子沉淀。利用虹吸法將沉降至槽底的硫酸鋇吸出槽外，再經澄清后將吸出的鉻液回流至鍍鉻槽內。在生產過程中，硫酸不要無根據地任意添加入鉻槽中。因為在整個鍍鉻過程中只消耗鉻酸，而硫酸僅作為鍍鉻的催化劑，一般不會消耗掉。僅隨著鉻酐在出槽時而附帶出來少量硫酸，而當補充鉻槽中的鉻酐時，在鉻酐中一般可能要有百分之零點幾的硫酸作為雜質隨之進人鉻槽，可彌補硫酸的不足，數量上達到自動的平衡。一般補充至正常范圍的鉻酐可以不必刻意地補加硫酸。鉻酸根離子（CrO2-4)是負離子，它不可能在負極上放電析出鉻金屬層。當在SO2-4 與三價鉻（Cr3+)生成［Cr4O（SO4)4 · (H2O)4]2+,陽離子團到陰極表面，當離子放電后，硫酸根離子（SO2-4 ）又回到陰極。


3. 三價鉻Cr3+的作用和影響


  在新配的鉻酸溶液中，在開始時沒有Cr3+,不能生成前述的陽離子團，在鍍鉻溶液中當存在適量的硫酸時，使鍍鉻液的酸度為pH=3時，有堿式鉻酸鉻［Cr(OH)3·Cr(OH)CrO4]薄膜包在陰極表面上。當有三價鉻化合物所組成的帶正電荷的陽離子團，才能在陰極上放電，析出金屬鉻層。如果溶液中沒有三價鉻，形不成陽離子團來促使堿式鉻酸鉻的薄膜溶解，就鍍不上鉻。故三價鉻的數量雖少，但作用很大。故在配好鍍鉻槽后，需要用電解的方法，在陰極上產生少量的三價鉻，一般使Cr3+=3~5g/L,已足夠起作用。過多反而有害。在鍍鉻過程中，Cr3+和H2SO4重回溶液中。


4. 電流密(mi)度(du)


  在不銹鋼拋光表面上，總是存在一層肉眼看不見的極薄的鉻的氧化膜，在其上沉積的鉻層會產生結合力不牢的現象。故在開始鍍鉻時，應先用小電流陰極活化，此時只產生氫氣氣泡，不在鉻的析出電位之上，使不銹鋼表面得到還原凈化，存在的鉻氧化膜被電解除去，電流密度應小于3A/d㎡,時間為1~2min.在此過程中，鍍件在鍍液中也受到預熱，然后每1~2min內提升電流密度至5A/d㎡,在5~10min內，階梯式提升電流5次，最后以高于正常電流，大約在50~60A/d㎡2之內沖擊鍍鉻，時間為2~3min,使凹入部位都能鍍上鉻層，然后恢復至正常電流密度25~30A/d㎡,也可采取較大電流密度，但為防止邊角燒焦，要采取輔助陰極加以保護。


5. 溫(wen)度


  溫(wen)度(du)(du)和電流(liu)密度(du)(du)之(zhi)間有密切的(de)關(guan)系，溫(wen)度(du)(du)在(zai)60℃時，陰極電流(liu)密度(du)(du)為(wei)60A/d㎡,鉻(ge)層硬(ying)度(du)(du)最好，約為(wei)維(wei)氏990HV.因此，在(zai)50~60℃之(zhi)間，硬(ying)度(du)(du)變(bian)化不(bu)大。但溫(wen)度(du)(du)大于(yu)(yu)65℃時，硬(ying)度(du)(du)開(kai)始下降(jiang)至900HV.當(dang)溫(wen)度(du)(du)高(gao)達70~75℃時，鉻(ge)層失去光澤(ze)，呈乳白色，硬(ying)度(du)(du)也降(jiang)低至600~700HV.所以溫(wen)度(du)(du)宜保持在(zai)55~60℃.鉻(ge)鍍層由于(yu)(yu)硬(ying)度(du)(du)高(gao)，摩(mo)擦因數小(xiao)，有良好的(de)耐磨性(xing)，適(shi)應于(yu)(yu)模具板的(de)要(yao)求(qiu)。當(dang)電流(liu)密度(du)(du)為(wei)30~40A/d㎡2時，其維(wei)氏硬(ying)度(du)(du)也在(zai)1000HV左右。