化學氣相沉積(CVD)工藝技術特點
化(hua)(hua)學(xue)氣(qi)相沉(chen)積(ji)(CVD)是用化(hua)(hua)學(xue)方(fang)法使反(fan)應(ying)氣(qi)體在(zai)零件(jian)基(ji)材(cai)表面(mian)發生(sheng)化(hua)(hua)學(xue)反(fan)應(ying)而形成覆蓋層的(de)方(fang)法。通常CVD是在(zai)高(gao)溫(800~1000℃)和常壓或低壓下(xia)進(jin)行的(de),沉(chen)積(ji)裝(zhuang)置(zhi)如(ru)圖3-13所示。 a.反(fan)應(ying)氣(qi)體向工件(jian)表面(mian)擴散并被吸附。 b.吸收工件(jian)表面(mian)的(de)各(ge)種...